De Direito e Interferência eletromagnética de Moore

tecnologias transistor state-of-the-art trazer densidade de potência incomparável e eficiência para uma infinidade de aplicações de conversão de energia. A acusação implacável abaixo o processo de semicondutores garantias Technology Roadmap velocidade de comutação cada vez mais rápido (dv /dt) e uma consequência não intencional, interferência eletromagnética (EMI).

Moore &'; s Lei tem sido em torno de um longo tempo. Simplesmente afirmou que prevê que o número de portas disponíveis em uma área de silício fixo vai dobrar a cada 18 meses com base no avanço contínuo de nós de tecnologia de processo de semicondutores. Adjuvante da Moore &'; s Lei, concebido por Robert Dennard, e referido como Dennard &'; s Scaling, diz que como transistores são sistematicamente reduzidas em tamanho, sua velocidade aumenta e seu consumo de energia é reduzido. Mais rápido de comutação (dv /dt), produz mais ruído na forma de EMI. Pode-se argumentar, portanto, que o ruído escalas com Moore &'; s Law. Até este ciclo está quebrado, quando transistores na sua forma actual não pode ser feita qualquer menor, o uso de filtros EMI em aplicações de conversão de energia irá aumentar dramaticamente na próxima década.

Inversores estão em um período de rápido crescimento alimentado pela demanda nos mercados de energia alternativas, como PV, Vento, e veículos elétricos. Inversores e acionamentos industriais também estão vendo uma maior utilização no ciclo de substituição de fontes de energia legados em produtos como condicionadores de ar, equipamentos de solda, ferramentas de corte, e controle de movimento. A potência necessária para mudar o IGBT dia moderno ou MOSFET está se aproximando de zero, tornando esses dispositivos candidatos ideais para inversor e topologias de alimentação para unidades industriais. Embora a assinatura de EMI /RFI de um dispositivo autónomo o transistor pode ser quantificada em laboratório, não é muito útil para o projectista do sistema. A forma como esses chips e módulos são usados ​​e onde eles são colocados dentro do sistema são muito mais determinista das emissões resultantes produzidos. Blindagem e isolamento físico das fontes de energia agressor pode reduzir ou eliminar emissões irradiadas na maioria dos casos. Aterramento robusto é fundamental no controle da EMI conduzida.

Enquanto práticas de design bom sistema pode mitigar a maioria dos problemas com emissões conduzidas e irradiadas, EMI é muitas vezes descoberto e identificado no final da fase de projeto. Eletrônica digital de baixa tensão e analógico-digitais conversores são particularmente suscetíveis nestes ambientes ruidosos. O preço da prática do design pobre pode resultar em erros de bits ou de lógica e desvios de referência de tensão que podem produzir condições aberrantes ou mesmo perigosos. Uma vez identificados no laboratório, a EMI pode ser colocado sob controlo com a utilização de filtragem de linha de potência na entrada da CA e, em alguns casos, também na saída DC. Cuidados devem ser tomados para garantir que o filtro especificado é dentro dos orçamentos de corrente de fuga e que a unidade não introduzir capacitância para o terra em sistemas que não podem tolerar isso. Os custos podem ser contidos por se envolver com um fabricante de filtro que tem a capacidade de realizar testes de pré-conformidade para as emissões realizadas em produtos e sistemas do cliente. Ao testar o sistema final, em casa, o cliente é proporcionada, uma solução de filtro otimizado, não mais de engenharia, seja sob a forma de uma oferta de produto padrão ou um customizado especificamente para a aplicação.

Moore &'; s lei é estimada para ser válido por pelo menos mais dez anos, após o qual as novas arquitecturas de transístores e materiais de substrato podem ser introduzidas com inteiramente diferentes atributos. Até então, os projetistas de sistemas de próxima geração baseados nestes transistores de silício cada vez mais reduzida seria prudente considerar problemas e soluções potenciais EMI no início da fase de design Art  .;